本技术涉及传感器设备，具体涉及一种传感器封装结构及电子设备。、传感器作为信息获取的核心部件，广泛应用于压力检测、惯性测量、声学识别等领域。在诸如微电子机械系统(mems)等技术平台下，传感器结构通常采用封装基板与外壳密封形成的腔体结构，以保护内部芯片，并维持检测精度。、然而，在封装完成后，...

本发明属于医疗电子设备，涉及一种用于连续式血糖监测（cgm）芯片的封装结构及工艺，属于系统级封装（sip）、异质整合、生物芯片（biochip）及d/.d ic技术范畴。该技术旨在通过先进封装方案解决cgm系统在微型化、生物兼容性及长期稳定性方面的挑战。、随着糖尿病管理的精准化与穿戴式装置...

本发明属于微机电，更具体地，涉及一种晶圆级封装盖帽深腔中吸气剂的图形化制备方法。、微机电系统（micro-electro mechanical systems，mems）是在微电子技术基础上发展而来，通过光刻、刻蚀、成膜、电镀等工艺制作出的精细电子机械产品。、晶圆级封装（wafer lev...

本公开内容涉及微机电（mems）器件，并且更具体地，涉及可以在这样的器件中使用的梳状结构。本公开内容还涉及这样的梳状结构的几何形状。、mems器件通常包括（）固定结构和（）可移动结构，该可移动结构被配置成在外力移动该器件时相对于固定结构移动。可以通过测量可移动结构在器件内部的移动来计算整个...

本发明属于半导体技术中的微机电系统（mems）设计制造领域，具体涉及一种红外焦平面阵列mems芯片及其制备方法。、由于红外探测技术可以实现白天和夜晚的全天候探测，环境适应能力好，并且可以获得相较于可见光更加丰富的背景以及目标信息等优势，其被广泛应用于多种领域。在军事领域，红外探测技术用于遥...

本申请涉及光电，尤其涉及一种红外光源结构和红外光源结构的制作方法。、红外光源作为红外应用系统的核心部件，其主要功能是为红外传感器提供一定波段的红外光。例如，现有技术中，不分光红外线分析仪（ndir）中的红外光源，多采用led光源的形式，该光源成本较低，但存在体积大、发射效率低等问题。微机电...

本发明属于微机电传感器领域，具体涉及一种低温度迟滞的介质隔离硅压阻式压力传感器芯片及其制备方法。、随着微机电（mems）技术的发展，mems硅压阻式压力传感器已成为应用最广泛的压力传感器之一。但在温度快速变化的环境下，受硅压阻芯片膜层间不同材料热膨胀系数、杨氏模量、弹塑性形变和封装应力等影...

本发明涉及一种腐蚀硅岛时的凸角保护技术，特别是通过各向异性深腐蚀工艺在硅片上制作硅岛结构时的凸角保护技术，属于微电子机械系统(mems)领域。、微电子机械系统是指采用微机械加工技术批量制作的微型传感器、微型机构、微型执行器等微型器件或微型系统。它把信息系统的微型化、多功能化、智能化和可靠性...

本申请涉及一种研磨辅助的图形化刻蚀铌酸锂的方法及其应用，属于微纳加工。、随着 g/g、人工智能、量子科技等领域的快速发展，铌酸锂的市场需求持续增长，据行业预测，仅薄膜铌酸锂相关市场规模将在未来几年突破百亿元，成为新材料产业的重要增长点。铌酸锂的核心价值源于其集多种优异性能于一身的特性，这使...

本发明实施例涉及流体控制器件，尤其涉及一种流体控制器件的制备方法及流体控制器件。、微机电系统（micro-electro-mechanical system，mems）压电薄膜执行器利用压电薄膜的逆压电效应，通过外部回路给上下电极通入电压，上下电极在压电薄膜层中产生电场，电场使压电薄膜层产...

本发明涉及惯性器件，具体为一种mems惯性器件制造方法。、现有技术中，惯性器件通常采用硅加工工艺，即是对硅衬底进行加工的一种技术，采用各项异性化学刻蚀，深硅刻蚀，自停止刻蚀以及晶圆键合等技术，来制作不同的微机械结构，利用该技术可制造出mems精密微结构，同时进行mems器件的高精度，高效，...

本发明涉及一种高深宽比结构的加工方法、传感器及验证方法，属于微机电系统（mems）惯性器件。、mems加速度传感器通常由质量块、弹簧梁、电容电极等结构组成。传统mems工艺流程包括光刻、掩模制作、刻蚀、清洗、薄膜淀积等多个步骤，流程复杂、周期长、成本高，且传感器结构设计一旦发生调整，需要重...

本申请涉及生物芯片领域，具体涉及一种微腔芯片及其制备方法、用途。、微腔芯片作为一个新型平台，其具有的微腔结构可以增强信号，使其能够感应微小变化，可以用于高灵敏度的检测和传感，响应速度较快。并且通过改变微腔芯片的结构或外部条件，可以调节微腔的特性，实现多种功能。因此，微腔芯片在生物有...

本技术涉及芯片加工，具体是一种mems芯片加工用载具。、mems芯片就是用半导体技术在硅片上制造电子机械系统，mems芯片在加工过程中，当加工至回流焊步骤时，该mems芯片放置于传输带上传输至回流焊机器处焊接，然而由于直接将mems芯片置于传输带上，且又由于焊接的高温易使得该mems芯片产...

本发明涉及微纳结构制备，尤其是涉及一种三维二氧化钛微纳结构的制备方法。、在现代光电子技术快速发展的背景下，亚波长微纳结构因具备独特的光学调控能力，已成为oled发光器件、光通信模块、光学传感器等领域的核心支撑单元。随着各类光电子器件向高性能、小型化、多场景适配方向演进，对光学微纳结构的光场...

本发明属于mems器件制造，具体涉及一种基于两步干法刻蚀的mems结构聚酰亚胺去除方法，该方法尤其适用于对结构完整性要求极高的非制冷红外探测器、热成像芯片等微桥结构器件的制造。、聚酰亚胺(pi)因其优异的机械与热稳定性，被广泛用作mems器件中的牺牲层材料。在其支撑功能完成后，需被彻底去除...

本发明属于纳米材料与纳米器件。具体地，本发明提供了一种悬空二维异质结静电应变调控器件及其制备方法和静电应变调控方法。、自年研究人员成功从石墨中分离出石墨烯并证实其可单独存在之后，二维材料的研究迅速成为材料科学领域的热点。二维材料因其独特的电学、光学和力学性质，展现出与传统块体材料截然不同的...

本发明属于散热器，尤其涉及一种基于非对称多腔室和虚拟阀的微型压电散热器及应用。、随着全球科技的迅速发展，电子设备的集成度和功耗不断提高，例如高性能计算机、智能手机和物联网设备等。这些设备在工作时会产生大量的热量，若不及时散热，将导致器件过热，影响性能甚至损坏。传统的散热解决方案，如风扇、散...

本发明属于纳米粒子图案化领域，尤其涉及功能性纳米粒子的微纳制造领域，具体涉及一种功能性纳米粒子的图案化阵列结构的制备方法、用途和设备。、“功能性纳米粒子图案化阵列”是指将具有特定光、电、磁等功能的纳米尺度粒子，以精密的周期性或设计性图形排列在基底上，是下一代光子器件、高密度传感器等核心结构...

本发明属于mems器件封装，涉及一种mems器件低应力封装方法及结构。、mems器件的封装往往有特殊的要求，例如硅陀螺和硅加速度计等惯性mems器件均对对贴片应力有较高要求，此外硅压力传感器还需要压力传输接口，光电传感器还需要有光传输窗口等。当前各类mems器件封装，有的选用陶瓷管壳封装，...